上证报中国证券网讯（郑维汉记者李兴彩）9月19日，新洁能亮相2024年行业集体路演半导体专场。公司董事会秘书肖东戈就公司核心竞争力、研发创新成果等问题与投资者进行了交流，并表示，公司将立足核心优势，持续推进研发。

　　肖东戈表示，作为一家有竞争力的半导体设计公司，新洁能的核心优势主要体现在研发实力、产品系列和产业链协作方面。

　　在研发实力方面，公司具备独立的IGBT、MOSFET、SiC MOSFET、GaN HEMT芯片设计能力和自主的工艺技术平台，在技术水平、生产工艺和产品质量等方面已接近国际先进水平。同时，公司拥有两百余项专利，相对同行业竞争者和潜在竞争者均形成了较高的技术壁垒。

　　在产品系列方面，公司目前已拥有3000余款细分型号产品，涵盖MOSFET、IGBT、功率模块、化合物半导体、功率IC十大产品平台，能满足客户一站式采购需求。

　　值得一提的是，公司已形成“构建-衍生-升级”的良性发展模式，从而使得细分型号产品能够快速、“裂变式”产生，带动公司经营规模迅速增长。

　　在产业链协作方面，公司十余年来与全球领先的特色工艺晶圆代工企业华虹紧密合作，是唯一一家在华虹四家工厂均有开展功率器件业务的设计公司，也是国内8英寸和12英寸工艺平台上IGBT和MOSFET芯片投片量最大的半导体功率器件设计公司。

　　创新为企业的生存之本。谈及公司未来的研发方向，肖东戈表示，公司正持续积极投入，在汽车电子、屏蔽栅MOSFET、超结MOSFET、IGBT等主要产品平台均有新品布局。

　　具体来看，在汽车电子方面，新洁能已经实现近200款产品通过车规可靠性考核，目前正积极开发具有更低热阻、更高功率密度的先进车规级封装外形产品，包括双面散热PDFN5×6、TOLT、sToll等，相关系列产品均已在可靠性验证中；在屏蔽栅MOSFET方面，公司具有业界最小单位元胞尺寸的第三代SGT MOS平台实现量产，目前正在研发更小原胞尺寸的N沟道第四代SGT MOS平台；在超级结MOSFET方面，公司正在开发3.5代7um pitch产品，相比上一代产品，其特征导通电阻可以再降低20%以上；在IGBT方面，目前量产的第七代IGBT产品电流密度、饱和压降低等参数，全面对标国际一线品牌最新世代产品，产品平均CP良率可以达到99%左右。