化合积电携手厦大团队攻关单晶金刚石薄膜异质外延生长技术突破性进展金刚石基(A)S
化合积电携手厦大团队攻关单晶金刚石薄膜异质外延生长技术突破性进展
金刚石基 (A) SBD和(B)FET的比导通电阻与击穿电压
高性能电子设备的需求持续增长进一步开拓了单晶金刚石薄膜的异质外延生长应用前景。随着技术进步和对生长机制的深入理解,异质外延金刚石可能会彻底改变电子行业,并推动利用金刚石卓越特性的各种应用的发展。
金刚石基 (A) SBD和(B)FET的比导通电阻与击穿电压
高性能电子设备的需求持续增长进一步开拓了单晶金刚石薄膜的异质外延生长应用前景。随着技术进步和对生长机制的深入理解,异质外延金刚石可能会彻底改变电子行业,并推动利用金刚石卓越特性的各种应用的发展。
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