下面转一段我咨询 kimi 的话 “论述 soc 和 BAW 之间的关系”，这里面提到了 BAW 的超微尺寸很关键，不然无法封装。而诺思微的 BAW 的一大特点就是超微，适合封装。 $经纬辉开(SZ300120)$

射频BAW（Bulk Acoustic Wave，体声波）滤波器与SoC（System on Chip，片上系统）之间的关系主要体现在射频前端的集成化趋势上。BAW滤波器因其在高频应用中的性能优势，逐渐成为射频前端模块中的关键组件。SoC是一种将传统上分散的多个芯片或电路集成到单一芯片上的技术，它旨在实现更高的集成度、更小的尺寸和更低的功耗。

BAW滤波器能够在高达20GHz的频率下工作，并且具有较低的插入损耗和较高的带外衰减，这使得它们非常适合用于高性能的射频前端模块 。随着移动通信技术的发展，尤其是向5G过渡，对于能够处理更高频段和提供更优性能的BAW滤波器的需求不断增加。

SoC技术允许将包括BAW滤波器在内的多种射频元件集成到一个单一的芯片上，从而实现射频前端的模块化和集成化。这种集成化有助于减少射频前端的尺寸，提高性能，并降低成本。射频前端的高度集成化趋势渐显，BAW在基于MEMS技术的工艺上的突破是集成度提升的关键 。

然而，射频前端的集成化也面临着挑战，如滤波器的体积较大，对集成构成挑战，以及集成后的性能和成本问题 。尽管如此，BAW滤波器因其在高频通信中的性能优势，预计将在5G时代发挥更加重要的作用，并且可能与SoC技术更紧密地结合，以推动射频前端模块的进一步发展和创新 。

目前，射频前端的集成主要采用封装集成的形式，这是因为不同射频元件如功放、天线开关、滤波器等，它们基于不同的工艺制造，如BAW滤波器基于MEMS技术，而功放基于GaAs HBT工艺，射频开关基于RF-SOI工艺 。这些不同工艺的晶圆可以通过封装的形式集成到同一基材衬底上，实现射频前端的高度集成化。随着技术的进步，未来可能会有更多采用SoC形式的射频前端产品出现，但目前SoC在射频前端的应用还面临一定的技术和市场挑战。